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宝盈官网_先进的半导体工艺:FinFET简介

发布日期:2021-07-13 02:19浏览次数:
本文摘要:FinFET概要FinFET是鳍场效应晶体管(FinField-EffectTransistor; FinFET )是一种新型的互补金氧半导体(CMOS )晶体管。栅极长度达到了25纳米以上。这项技术的发明者是加利福尼亚大学伯克利分校的胡正明教授。 Fin是鳍的意思,FinFET命名取决于晶体管的形状和鳍的相似性。发明者这项技术的发明者是加州大学伯克利分校的胡正明教授[1]。

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FinFET概要FinFET是鳍场效应晶体管(FinField-EffectTransistor; FinFET )是一种新型的互补金氧半导体(CMOS )晶体管。栅极长度达到了25纳米以上。这项技术的发明者是加利福尼亚大学伯克利分校的胡正明教授。

Fin是鳍的意思,FinFET命名取决于晶体管的形状和鳍的相似性。发明者这项技术的发明者是加州大学伯克利分校的胡正明教授[1]。

胡正明教授1968年在台湾国立大学获得电子工程学士学位,1970年和1973年在伯克利大学获得电子工程和计算机科学硕士学位和博士学位。我现在是美国工程院院士。

2000年在FinFET获得美国国防部高级研究项目局最佳技术奖(darpamostoutstandingtechnicalaccomplishmentaward )。他研究的BSIM模型已经成为晶体管模型的唯一国际标准,培养了100多名学生,许多学生已经成为这个领域的大牛,获得了Berkeley的最低教育奖。2001~2004年兼任台湾积体电路制造的CTO。

英特尔发布的FinFET电子显微镜照片的工作原理FinFET栅极长度可超过25纳米,预计将来约为人类头发宽度的万分之一。由于这种导体技术的突破,未来的芯片设计师有望将超级计算机设计成指甲一样大。FinFET是现有标准的晶体管场效应晶体管(Field-EffectTransistor; FET )的创意设计。在现有晶体管结构中,控制电流流动的栅极无法在栅极的一侧控制电路的连接和插入,属于平面结构。

在FinFET的架构中,栅极成为鳍状的叉状3D架构,可以在电路的两侧控制电路的连接和插入。该设计可以大幅度提高电路控制,增加漏极,或者大幅度延长晶体管的栅极长度。

[2]发展状态2011年初,英特尔公司推出了商业化的FinFET,用于其22纳米节点的工艺[3]。英特尔酷睿i7-3770和更高版本的22纳米处理器用于FinFET技术。由于FinFET具有功耗低、面积小的优点,台湾集成电路生产株式会社(TSMC )等主要半导体代工已经计划发售自己的FinFET晶体管[4],为了将来的移动处理器等更慢,更省。


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